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无矩亥姆霍兹线圈

简要描述：LM55系列无矩亥姆霍兹线圈的磁矩基本为零，线圈外部磁场衰减迅速，可有效降低磁场与外界的相互干扰，常与屏蔽筒配合使用。与常规亥姆霍兹线圈一样，其磁场方向沿线圈轴向方向。其使用空间开阔，操作简便。可实现一维、二维、三维组合磁场，产生的磁场与电流具有良好的线性。

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详细介绍

一、产品概述

LM55系列无矩亥姆霍兹线圈的磁矩基本为零，线圈外部磁场衰减迅速，可有效降低磁场与外界的相互干扰，常与屏蔽筒配合使用。与常规亥姆霍兹线圈一样，其磁场方向沿线圈轴向方向。其使用空间开阔，操作简便。可实现一维、二维、三维组合磁场，产生的磁场与电流具有良好的线性。

适用于各研究所，高等院校及企业，应用于材料、电子、生物、医疗、航空航天、应用物理等各个学科，其主要用途包括：产生标准弱磁场、屏蔽筒内置线圈、抗干扰磁通/磁矩测量线圈等。

二、产品特点

Ø 磁矩基本为零，线圈外部磁场衰减迅速，可有效降低磁场与外界的相互干扰；

Ø 屏蔽筒内磁场线圈的无矩设计可提高线圈在磁屏蔽筒内复现磁场的线性度；

Ø 磁场与励磁电流具有良好的线性，即磁场=励磁电流×线圈常数；

Ø 可定制二维、三维无矩亥姆霍兹线圈；

Ø 操作空间大，便于用户作业；

Ø 可选配不同类型的电源产生不同类型的磁场，如直流磁场，交流磁场等；

Ø 可选配或定制合适的测试平台，便于实验操作；

Ø 可选配移动滚轮，方便整体移动；

Ø 可定制化程度高。

三、典型应用

Ø 弱磁传感器的测试与校准

Ø 抗干扰磁通/磁矩测量线圈

Ø 磁性材料测量

Ø 磁屏蔽筒内置线圈

Ø 磁场影响量实验

Ø 与磁场相关的科学研究方向

四、技术指标

无矩亥姆霍兹线圈参数示例（直流励磁）以下参数为示例参数，可供参考，所有参数均可根据用户需求定制。
型号	LM5500-200
线圈等效直径	200 mm
中心最大磁通密度	4 mT
最大励磁电流	1 A
均匀区@均匀度	Ф48 mm @ 1% Ф40mm @ 0.5% Ф30 mm @ 0.2% Ф22 mm @ 0.1%
磁场衰减	50% @ 距离中心100 mm
磁场分布	见“仿真报告”
最大磁场励磁功率（冷态）	120W
注：无矩补偿线圈直径会大于线圈的等效直径。选用的励磁电流源的电流与功率应满足上述要求。考虑到加工工艺与使用的便捷性，尺寸大于500mm的无矩亥姆霍兹线圈为方形。

绕线内径均为200mm的无矩亥姆霍兹线圈与常规亥姆霍兹线圈在线圈轴向磁场分布对比，可见无矩亥姆霍兹线圈磁场分布更为集中，对外界影响相对更小。（数据来源于仿真结果）

五、结构实例

六、配置清单

名称	型号	数量	单位	配置	备注
无矩亥姆霍兹线圈	LM55 系列	1	台	标配	用户需根据尺寸与磁通密度需求选择或定制
励磁电源	LP 系列	1	台	标配	可根据励磁需求选配电源
全套测试导线/电源线	——	1	套	标配
磁场控制软件	LA1100	1	套	选配	可控制输出磁场，具备曲线显示、多种输出模式与定时输出等功能
试验平台	——	1	套	选配	可根据试验需求选配或定制合适的试验平台
移动滚轮	——	1	套	选配	便于整体移动磁场发生装置
高斯计	LT1X 系列	1	套	选配	可用于测量线圈产生的磁场大小

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